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APTGT75DA170D1G
APTGT75DA170D1G
Obsolete
Beschreibung:  IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
Hersteller:  Microsemi Corporation
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 42480
APTGT75DA170D1G vs APTGF350DA60G
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Obsolete
Obsolete
IGBT-Typ
Trench Field Stop
NPT
Konfiguration
Single
Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1700 V
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
120 A
430 A
Leistung - Max.
520 W
1562 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2.4V @ 15V, 75A
2.5V @ 15V, 360A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
5 mA
200 μA
EingangsKapazität (Cies) bei Vce
6.5 nF @ 25 V
17.2 nF @ 25 V
Eingang
Standard
Standard
NTC-Thermistor
No
No
Betriebstemperatur
-
-
Montagetyp
Chassis Mount
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
D1
SP6
Gehäusetyp vom Lieferanten
D1
SP6