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APTGT30DA170T1G
APTGT30DA170T1G
Obsolete
Beschreibung:  IGBT MODULE 1700V 45A 210W SP1
Hersteller:  Microsemi Corporation
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 23630
APTGT30DA170T1G vs APT65GP60J
Reihe
-
POWER MOS 7
Verpackung
Bulk
Tube
Status
Obsolete
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
PT
Konfiguration
Single
Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1700 V
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
45 A
130 A
Leistung - Max.
210 W
431 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
2.7V @ 15V, 65A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
250 μA
1 mA
EingangsKapazität (Cies) bei Vce
2.5 nF @ 25 V
7.4 nF @ 25 V
Eingang
Standard
Standard
NTC-Thermistor
Yes
No
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Chassis Mount
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
SP1
SOT-227-4, miniBLOC
Gehäusetyp vom Lieferanten
SP1
ISOTOP?