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APTGT225DA170G
APTGT225DA170G
Active
Beschreibung:  IGBT MODULE 1700V 340A 1250W SP6
Hersteller:  Microsemi Corporation
Geschichte Preis: Active
Vorrätig: 17630
APTGT225DA170G vs APT65GP60J
Reihe
-
POWER MOS 7
Verpackung
Bulk
Tube
Status
Active
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
PT
Konfiguration
Single
Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1700 V
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
340 A
130 A
Leistung - Max.
1250 W
431 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2.4V @ 15V, 225A
2.7V @ 15V, 65A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500 μA
1 mA
EingangsKapazität (Cies) bei Vce
20 nF @ 25 V
7.4 nF @ 25 V
Eingang
Standard
Standard
NTC-Thermistor
No
No
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Chassis Mount
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
SP6
SOT-227-4, miniBLOC
Gehäusetyp vom Lieferanten
SP6
ISOTOP?