Technologie
-
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
-
7.5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
850mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
37.6 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
1000 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)
-
2W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur
-
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
-
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
TO-220FI(LS)
Gehäuse / Hülle
-
TO-220-3 Full Pack
