Technologie
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MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
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60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
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100A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
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4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
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5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
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Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
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220 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
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12500 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)
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1.75W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur
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150 ℃ (TJ)
Montagetyp
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Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
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TO-220-3
Gehäuse / Hülle
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TO-220-3
