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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Renesas Electronics 2SD789E-E
2SD789E-E
2SD789E-E
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Hersteller:  Renesas Electronics
Datenblatt:   2SD789E-E Datenblatt
Geschichte Preis: $0.17000
Vorrätig: 20200
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2SD789E-E vs 2SD863E-AE
Teilenummer
2SD789E-E
2SD863E-AE
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
Renesas Electronics
onsemi
Reihe
-
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Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
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Strom - Kollektor (Ic) (max.)
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
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Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
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Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
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GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
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Leistung - Max.
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Frequenz - übergang
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Betriebstemperatur
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Montagetyp
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Gehäuse / Hülle
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Gehäusetyp vom Lieferanten
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