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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren  /  Panasonic 2SC563200L
2SC563200L
2SC563200L
Obsolete
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Beschreibung:  RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1
Hersteller:  Panasonic
Datenblatt:   2SC563200L Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 1600
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2SC563200L vs 2SC5415AF-TD-E
Teilenummer
2SC563200L
2SC5415AF-TD-E
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Hersteller
Panasonic
onsemi
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Bulk
Status
Obsolete
Active
Transistor-Typ
NPN
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
8V
-
Frequenz - übergang
1.1GHz
-
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
-
Verstärkung
-
-
Leistung - Max.
150mW
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 2mA, 4V
-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
-
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Surface Mount
-
Gehäuse / Hülle
SC-70, SOT-323
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
SMini3-G1
-
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