2SC563200L
2SC563200L
Obsolete
Beschreibung:  RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1
Hersteller:  Panasonic
Datenblatt:   2SC563200L Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 1600
2SC563200L vs 2SC5347AE-TD-E
Hersteller
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Obsolete
Last Time Buy
Transistor-Typ
NPN
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
8V
12V
Frequenz - übergang
1.1GHz
4.7GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
1.8dB @ 1GHz
Verstärkung
-
8dB
Leistung - Max.
150mW
1.3W
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 2mA, 4V
90 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
150mA
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
SC-70, SOT-323
TO-243AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
SMini3-G1
PCP