2SC563200L
2SC563200L
Obsolete
Beschreibung:  RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1
Hersteller:  Panasonic
Datenblatt:   2SC563200L Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 1600
2SC563200L vs 2SC5231A-8-TL-E
Hersteller
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Obsolete
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
8V
10V
Frequenz - übergang
1.1GHz
7GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
1dB @ 1GHz
Verstärkung
-
12dB
Leistung - Max.
150mW
100mW
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 2mA, 4V
90 @ 20mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
70mA
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
SC-70, SOT-323
SC-75, SOT-416
Gehäusetyp vom Lieferanten
SMini3-G1
SMCP