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2SC5415AF-TD-E
2SC5415AF-TD-E
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Beschreibung:  2SC5415A - RF TRANSISTOR, UPN SI
Hersteller:  onsemi
Datenblatt:   2SC5415AF-TD-E Datenblatt
Geschichte Preis: $0.23000
Vorrätig: 9100
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2SC5415AF-TD-E vs 2SC5231A-9-TL-E
Teilenummer
2SC5415AF-TD-E
2SC5231A-9-TL-E
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Hersteller
onsemi
onsemi
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Obsolete
Transistor-Typ
-
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
-
10V
Frequenz - übergang
-
7GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
1dB @ 1GHz
Verstärkung
-
12dB ~ 8.5dB @ 1GHz
Leistung - Max.
-
100mW
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
135 @ 20mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
70mA
Betriebstemperatur
-
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
-
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
-
3-SMD, Gull Wing
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
SMCP
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