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2SC5226A-5-TL-E
2SC5226A-5-TL-E
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Beschreibung:  RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP
Hersteller:  onsemi
Datenblatt:   2SC5226A-5-TL-E Datenblatt
Geschichte Preis: $0.50000
Vorrätig: 28500
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2SC5226A-5-TL-E vs 2SC5501A-4-TR-E
Teilenummer
2SC5226A-5-TL-E
2SC5501A-4-TR-E
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Hersteller
onsemi
onsemi
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
10V
-
Frequenz - übergang
7GHz
-
Rauschzahl (dB typ. bei f)
1dB @ 1GHz
-
Verstärkung
12dB
-
Leistung - Max.
150mW
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
135 @ 20mA, 5V
-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
70mA
-
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Surface Mount
-
Gehäuse / Hülle
SC-70, SOT-323
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-MCP
-
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