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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren  /  Renesas Electronics 2SC2620QBTR-E
2SC2620QBTR-E
2SC2620QBTR-E
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Beschreibung:  RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Hersteller:  Renesas Electronics
Datenblatt:   2SC2620QBTR-E Datenblatt
Geschichte Preis: $0.17000
Vorrätig: 38100
Spezifikation
PDF Datenblatt
Teile Vergleichen
Rezension
2SC2620QBTR-E vs 2SC5226A-4-TL-E
Teilenummer
2SC2620QBTR-E
2SC5226A-4-TL-E
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics
onsemi
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
Transistor-Typ
-
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
-
10V
Frequenz - übergang
-
7GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
1dB @ 1GHz
Verstärkung
-
12dB
Leistung - Max.
-
150mW
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
90 @ 20mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
70mA
Betriebstemperatur
-
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
-
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
-
SC-70, SOT-323
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
SC-70 / MCP3
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