FET-Typ
P-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6.5A (Tc)
12A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
320mOhm @ 6.5A, 10V
500mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
34.8 nC @ 10 V
120 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
4W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
TO-3
Gehäuse / Hülle
TO-205AF Metal Can
TO-204AE
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