Transistor-Typ
NPN
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
3V @ 100mA, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 @ 300mA, 3V
1000 @ 5A, 3V
Frequenz - übergang
50MHz
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
TO-220
