FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
400 V
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
14A (Tc)
6A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
300mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
18 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
-
Verlustleistung (max.)
4W (Ta), 150W (Tc)
800mW (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3
TO-39
Gehäuse / Hülle
TO-204AE
TO-205AF Metal Can
