Transistor-Typ
NPN
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
350 V
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2V @ 4A, 8A
1.5V @ 2mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
10 @ 5A, 3V
4000 @ 1A, 5V
Leistung - Max.
100 W
1 W
Frequenz - übergang
60MHz
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
TO-237AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
TO-237
