2N6730
2N6730
Active
Beschreibung:  TRANS PNP 100V 2A TO237
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   2N6730 Datenblatt
Geschichte Preis: Active
Vorrätig: 13400
2N6730 vs 2N6714
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Transistor-Typ
PNP
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
30 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV @ 10mA, 250mA
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100nA (ICBO)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 @ 50mA, 1V
-
Leistung - Max.
1 W
-
Frequenz - übergang
500MHz
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-237AA
TO-237AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-237
TO-237