Transistor-Typ
PNP
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV @ 10mA, 250mA
3V @ 100mA, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100nA (ICBO)
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 @ 50mA, 1V
1000 @ 5A, 3V
Frequenz - übergang
500MHz
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-237AA
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-237
TO-220
