Transistor-Typ
NPN - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
350 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 2mA, 1A
2V @ 4A, 8A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
100μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
4000 @ 1A, 5V
10 @ 5A, 3V
Leistung - Max.
1 W
100 W
Frequenz - übergang
-
60MHz
Betriebstemperatur
-
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-237AA
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-237
TO-220AB
