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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  NTE Electronics 2N6725
2N6725
2N6725
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  TRANS NPN DARL 50V 1A TO237
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   2N6725 Datenblatt
Geschichte Preis: $2.55000
Vorrätig: 3200
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N6725 vs 2N6674
Teilenummer
2N6725
2N6674
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
NTE Electronics
Microchip Technology
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 2mA, 1A
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
4000 @ 1A, 5V
-
Leistung - Max.
1 W
-
Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
-
-
Montagetyp
Through Hole
-
Gehäuse / Hülle
TO-237AA
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-237
-
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