Transistor-Typ
NPN - Darlington
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 2mA, 1A
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
4000 @ 1A, 5V
10 @ 8A, 300V
Leistung - Max.
1 W
150 W
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-237AA
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-237
TO-3