Transistor-Typ
NPN
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
3V @ 100μA, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 1A, 1V
1000 @ 5A, 3V
Frequenz - übergang
500MHz
-
Betriebstemperatur
-
-65 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
TO-204AA (TO-3)
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