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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  NTE Electronics 2N6714
2N6714
2N6714
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  TRANS NPN 30V 2A TO237
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   2N6714 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.64000
Vorrätig: 34500
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N6714 vs 2N6672
Teilenummer
2N6714
2N6672
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
NTE Electronics
Microchip Technology
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN
-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
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Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
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GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
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Leistung - Max.
-
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Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
-
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Montagetyp
Through Hole
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Gehäuse / Hülle
TO-237AA
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-237
-
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