Transistor-Typ
NPN
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
3V @ 100mA, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
1000 @ 5A, 3V
Betriebstemperatur
-
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-237AA
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-237
TO-220
