2N6676
2N6676
Active
Beschreibung:  PNP TRANSISTOR
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N6676 Datenblatt
Geschichte Preis: $141.93000
Vorrätig: 14100
2N6676 vs 2N6752
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
15 A
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
300 V
450 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V @ 3A, 15A
3V @ 3A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
100μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
15 @ 1A, 3V
8 @ 5A, 3V
Leistung - Max.
6 W
150 W
Frequenz - übergang
-
60MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
TO-204AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AD (TO-3)
TO-3