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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N6675
2N6675
2N6675
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  PNP TRANSISTOR
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N6675 Datenblatt
Geschichte Preis: $141.93000
Vorrätig: 12400
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N6675 vs 2N697
Teilenummer
2N6675
2N697
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
Microchip Technology
onsemi
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Obsolete
Transistor-Typ
-
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
-
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
1.5V @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
40 @ 150mA, 10V
Leistung - Max.
-
-
Frequenz - übergang
-
100MHz
Betriebstemperatur
-
-
Montagetyp
-
Through Hole
Gehäuse / Hülle
-
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
TO-5
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