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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N6673
2N6673
2N6673
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  PNP TRANSISTOR
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N6673 Datenblatt
Geschichte Preis: $106.65000
Vorrätig: 9000
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N6673 vs 2N6725
Teilenummer
2N6673
2N6725
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
Microchip Technology
NTE Electronics
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bag
Status
Active
Active
Transistor-Typ
-
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
-
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
1.5V @ 2mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
4000 @ 1A, 5V
Leistung - Max.
-
1 W
Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
-
-
Montagetyp
-
Through Hole
Gehäuse / Hülle
-
TO-237AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
TO-237
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