2N6649
2N6649
Active
Beschreibung:  PNP TRANSISTOR
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N6649 Datenblatt
Geschichte Preis: $106.65000
Vorrätig: 40300
2N6649 vs 2N6773
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
PNP - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
650 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 100μA, 10A
1V @ 200mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
100μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 5A, 3V
20 @ 300mA, 3V
Leistung - Max.
5 W
40 W
Frequenz - übergang
-
50MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AA (TO-3)
TO-220