2N656S
2N656S
Active
Beschreibung:  POWER BJT
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N656S Datenblatt
Geschichte Preis: $38.83500
Vorrätig: 14800
2N656S vs 2N6648
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
12 A
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
3V @ 100mA, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
1000 @ 5A, 3V
Leistung - Max.
-
70 W
Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA
TO-3