Transistor-Typ
PNP
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
175 V
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
1.5V @ 2mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
4000 @ 1A, 5V
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-213AA, TO-66-2
TO-237AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)
TO-237
