Transistor-Typ
NPN - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
450 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
1V @ 200mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500μA
100μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
20 @ 300mA, 3V
Leistung - Max.
75 W
40 W
Frequenz - übergang
-
50MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
TO-220