Transistor-Typ
NPN - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
500mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
750 @ 2A, 3V
50 @ 1A, 1V
Frequenz - übergang
-
500MHz
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-32-3
TO-92-3
