Transistor-Typ
PNP - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
550 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
1V @ 200mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
100μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
750 @ 2A, 3V
20 @ 300mA, 3V
Leistung - Max.
40 W
40 W
Frequenz - übergang
-
50MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126
TO-220
