Transistor-Typ
PNP - Darlington
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
1.5V @ 2mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
750 @ 2A, 3V
4000 @ 1A, 5V
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
TO-237AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126
TO-237
