Transistor-Typ
PNP - Darlington
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
500mV @ 10mA, 250mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
100nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
750 @ 2A, 3V
80 @ 50mA, 1V
Frequenz - übergang
-
500MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
TO-237AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126
TO-237
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