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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5880
2N5880
2N5880
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N5880 Datenblatt
Geschichte Preis: $45.25500
Vorrätig: 29700
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N5880 vs 2N5871
Teilenummer
2N5880
2N5871
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Harris Corporation
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
-
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
7 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
-
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
2.5 @ 4A, 20V
Leistung - Max.
-
115 W
Frequenz - übergang
-
4MHz
Betriebstemperatur
-
-
Montagetyp
-
Through Hole
Gehäuse / Hülle
-
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
TO-3
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