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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5876
2N5876
2N5876
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N5876 Datenblatt
Geschichte Preis: $45.25500
Vorrätig: 19500
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N5876 vs 2N5955
Teilenummer
2N5876
2N5955
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Microchip Technology
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
-
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
6 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
-
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
-
Leistung - Max.
-
40 W
Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
-
-
Montagetyp
-
Through Hole
Gehäuse / Hülle
-
TO-213AA, TO-66-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
TO-66 (TO-213AA)
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