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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5875
2N5875
2N5875
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N5875 Datenblatt
Geschichte Preis: $45.25500
Vorrätig: 17800
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N5875 vs 2N5881
Teilenummer
2N5875
2N5881
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Microchip Technology
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
-
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
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15 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
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60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
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Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
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GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
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Leistung - Max.
-
160 W
Frequenz - übergang
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Betriebstemperatur
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Montagetyp
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Gehäuse / Hülle
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Gehäusetyp vom Lieferanten
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