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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Harris Corporation 2N5871
2N5871
2N5871
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  TRANS PNP 60V 7A TO3
Hersteller:  Harris Corporation
Datenblatt:   2N5871 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.56000
Vorrätig: 9300
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N5871 vs 2N5873
Teilenummer
2N5871
2N5873
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
Harris Corporation
Microchip Technology
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
PNP
-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7 A
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
2.5 @ 4A, 20V
-
Leistung - Max.
115 W
-
Frequenz - übergang
4MHz
-
Betriebstemperatur
-
-
Montagetyp
Through Hole
-
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3
-
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