2N5179
2N5179
Obsolete
Beschreibung:  RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72
Hersteller:  Microsemi Corporation
Datenblatt:   2N5179 Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 47300
2N5179 vs 2N5583
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Box
Status
Obsolete
Active
Transistor-Typ
NPN
PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
12V
30V
Frequenz - übergang
200MHz
1.3GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
4.5dB @ 200MHz
-
Verstärkung
20dB
-
Leistung - Max.
300mW
1W
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
25 @ 3mA, 1V
25 @ 100mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
500mA
Betriebstemperatur
-
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-72
TO-39