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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Central Semiconductor 2N3955
2N3955
2N3955
Obsolete
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
Hersteller:  Central Semiconductor
Datenblatt:   2N3955 Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 41300
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N3955 vs 2N3960UB
Teilenummer
2N3955
2N3960UB
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
Central Semiconductor
Microsemi Corporation
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Obsolete
Active
Transistor-Typ
-
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
-
12 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
300mV @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
10μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
60 @ 10mA, 1V
Leistung - Max.
-
400 mW
Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
-
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
-
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
-
3-SMD, No Lead
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
UB
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