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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren  /  Microchip Technology 2N3495
2N3495
2N3495
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Beschreibung:  SMALL-SIGNAL BJT
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N3495 Datenblatt
Geschichte Preis: $32.40000
Vorrätig: 13300
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N3495 vs 2N3497
Teilenummer
2N3495
2N3497
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Microchip Technology
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
PNP
PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
120V
120V
Frequenz - übergang
150MHz
150MHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
-
Verstärkung
-
-
Leistung - Max.
400mW
400mW
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 50mA, 10V
40 @ 50mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
100mA
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA
TO-18 (TO-206AA)
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