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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Solid State 2N2918A
2N2918A
2N2918A
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  TO 78 DUAL SILICON TRANSISTORS N
Hersteller:  Solid State
Datenblatt:   2N2918A Datenblatt
Geschichte Preis: $9.00000
Vorrätig: 7000
Spezifikation
PDF Datenblatt
Teile Vergleichen
Rezension
2N2918A vs 2N2907AP
Teilenummer
2N2918A
2N2907AP
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
Solid State
Microchip Technology
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
-
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
600 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
-
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
1.6V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
50nA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
100 @ 150mA, 10V
Leistung - Max.
-
500 mW
Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
-
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
-
Through Hole
Gehäuse / Hülle
-
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
TO-18 (TO-206AA)
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