2N2108
2N2108
Active
Beschreibung:  SMALL-SIGNAL BJT
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N2108 Datenblatt
Geschichte Preis: $29.34000
Vorrätig: 14600
2N2108 vs 2N2946AUB
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
PNP
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
35 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2V @ 10μA, 200μA
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
10μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
50 @ 1mA, 500mV
Leistung - Max.
1 W
400 mW
Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
3-SMD, No Lead
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA
UB