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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N2102S
2N2102S
2N2102S
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  NPN TRANSISTOR
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   2N2102S Datenblatt
Geschichte Preis: $29.34000
Vorrätig: 9500
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N2102S vs 2N2985
Teilenummer
2N2102S
2N2985
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Microchip Technology
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
-
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
-
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
-
Leistung - Max.
-
5 W
Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
-
-
Montagetyp
-
Through Hole
Gehäuse / Hülle
-
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
TO-5AA
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