1SS82TD-E
1SS82TD-E
Active
Beschreibung:  DIODE 200V 200MA DO35
Hersteller:  Renesas Electronics
Datenblatt:   1SS82TD-E Datenblatt
Geschichte Preis: $0.12000
Vorrätig: 3000
1SS82TD-E vs 1SS403E,L3F
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
Technologie
-
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
200 V
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
200mA
100mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 100 mA
1.2 V @ 100 mA
Geschwindigkeit
-
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Umkehrerholungszeit (trr)
100 ns
60 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
200 nA @ 200 V
1 μA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
3pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
SC-79, SOD-523
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-35
ESC
Betriebstemperatur - übergang
175 ℃
150 ℃ (Max)