1SS82TA-E
1SS82TA-E
Active
Beschreibung:  DIODE 200V 200MA DO35
Hersteller:  Renesas Electronics
Datenblatt:   1SS82TA-E Datenblatt
Geschichte Preis: $0.12000
Vorrätig: 1300
1SS82TA-E vs 1SS55-AZ
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Technologie
-
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
200 V
75 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
200mA
100mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 100 mA
700 mV @ 1 mA
Geschwindigkeit
-
-
Umkehrerholungszeit (trr)
100 ns
20 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
200 nA @ 200 V
100 nA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
4pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-35
DO-35
Betriebstemperatur - übergang
175 ℃
200 ℃ (Max)