1SS55-AZ
1SS55-AZ
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 75V 100MA DO35
Hersteller:  Renesas Electronics
Datenblatt:   1SS55-AZ Datenblatt
Geschichte Preis: $0.07000
Vorrätig: 41100
1SS55-AZ vs 1SS83TD-E
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Technologie
Standard
-
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
75 V
250 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
100mA
200mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
700 mV @ 1 mA
1 V @ 100 mA
Geschwindigkeit
-
-
Umkehrerholungszeit (trr)
20 ns
100 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
100 nA @ 75 V
200 nA @ 250 V
Kapazität bei Vr, F
4pF @ 0V, 1MHz
1.5pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-35
DO-35
Betriebstemperatur - übergang
200 ℃ (Max)
175 ℃