1N1675R
1N1675R
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP REV 400V 275A DO9
Hersteller:  Solid State
Datenblatt:   1N1675R Datenblatt
Geschichte Preis: $21.00000
Vorrätig: 23400
1N1675R vs 1N1663
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Box
Box
Status
Active
Active
Technologie
Standard, Reverse Polarity
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
400 V
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
275A
275A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.3 V @ 300 A
1.3 V @ 300 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
75 μA @ 400 V
75 μA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
-
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Montagetyp
Stud Mount
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
DO-205AB, DO-9, Stud
DO-205AB, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
-65 ℃ ~ 190 ℃